ماسفت قدرت دو کاناله N با ولتاژ ۶۰ ولت CSD88537ND
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | مقدار ویژگی |
| سازنده: | تگزاس اینسترومنتس |
| دسته بندی محصولات: | ماسفت |
| استاندارد RoHS: | جزئیات |
| فناوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته بندی/جعبه: | SOIC-8 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال N |
| تعداد کانال‌ها: | ۲ کانال |
| ولتاژ شکست منبع تخلیه - Vds: | ۶۰ ولت |
| جریان تخلیه مداوم - Id: | ۱۶ الف |
| Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه: | ۱۵ میلی اهم |
| ولتاژ گیت-سورس - Vgs: | - 20 ولت، + 20 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه گیت-سورس: | ۲.۶ ولت |
| Qg - شارژ دروازه: | ۱۴ نانوکولوم |
| حداقل دمای عملیاتی: | - ۵۵ درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + ۱۵۰ درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف توان: | ۲.۱ وات |
| حالت کانال: | بهبود |
| نام تجاری: | نکس‌فت |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | ماوس ریل |
| برند: | تگزاس اینسترومنتس |
| پیکربندی: | دوگانه |
| زمان سقوط: | ۱۹ نانوثانیه |
| ارتفاع: | ۱.۷۵ میلی‌متر |
| طول: | ۴.۹ میلی‌متر |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان ظهور: | ۱۵ نانوثانیه |
| سری: | CSD88537ND |
| تعداد بسته بندی کارخانه: | ۲۵۰۰ |
| زیرگروه: | ماسفت‌ها |
| نوع ترانزیستور: | ۲ کانال N |
| زمان تأخیر معمول خاموش شدن: | ۵ نانوثانیه |
| زمان تأخیر روشن شدن معمول: | ۶ نانوثانیه |
| عرض: | ۳.۹ میلی‌متر |
| وزن واحد: | ۷۴ میلی‌گرم |
♠ ماسفت قدرت NexFET™ دو کاناله N با ولتاژ ۶۰ ولت CSD88537ND
این ماسفت قدرت دوگانه SO-8، 60 ولت، 12.5 میلی اهم NexFET™ برای استفاده به عنوان نیم پل در کاربردهای کنترل موتور با جریان کم طراحی شده است.
• Qg و Qgd فوق العاده پایین
• دارای رتبه بهمن
• بدون سرب
• مطابق با استاندارد RoHS
• بدون هالوژن
• نیم پل برای کنترل موتور
• مبدل باک سنکرون
