FDV301N ماسفت N-Ch دیجیتال
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | ارزش صفت |
| سازنده: | onsemi |
| رده محصولات: | ماسفت |
| RoHS: | جزئیات |
| فن آوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته / مورد: | SOT-23-3 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال N |
| تعداد کانال ها: | 1 کانال |
| Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: | 25 V |
| شناسه - جریان تخلیه مداوم: | 220 میلی آمپر |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | 5 اهم |
| Vgs - ولتاژ گیت منبع: | - 8 ولت، + 8 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: | 700 میلی ولت |
| Qg - شارژ گیت: | 700 pc |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 55 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + 150 درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف نیرو: | 350 مگاوات |
| حالت کانال: | افزایش |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | MouseReel |
| نام تجاری: | onsemi / Fairchild |
| پیکربندی: | تنها |
| زمان سقوط: | 6 ns |
| رسانایی رو به جلو - حداقل: | 0.2 S |
| قد: | 1.2 میلی متر |
| طول: | 2.9 میلی متر |
| تولید - محصول: | سیگنال کوچک ماسفت |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان برخاستن: | 6 ns |
| سلسله: | FDV301N |
| مقدار بسته کارخانه: | 3000 |
| زیر مجموعه: | ماسفت ها |
| نوع ترانزیستور: | 1 کانال N |
| نوع: | FET |
| زمان تاخیر خاموش کردن معمولی: | 3.5 ns |
| زمان تاخیر روشن شدن معمولی: | 3.2 ns |
| عرض: | 1.3 میلی متر |
| قسمت # نام مستعار: | FDV301N_NL |
| واحد وزن: | 0.000282 اونس |
♠ FET دیجیتال، FDV301N کانال N، FDV301N-F169
این ترانزیستور اثر میدانی بهبود سطح منطق N-Channel با استفاده از فناوری DMOS اختصاصی onsemi با چگالی سلولی بالا تولید شده است.این فرآیند با چگالی بسیار بالا به ویژه برای به حداقل رساندن مقاومت در حالت تنظیم شده است.این دستگاه به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین به عنوان جایگزینی برای ترانزیستورهای دیجیتال طراحی شده است.از آنجایی که نیازی به مقاومت بایاس نیست، این FET یک کانال N می تواند جایگزین چندین ترانزیستور دیجیتال مختلف با مقادیر مقاومت بایاس متفاوت شود.
• 25 V، 0.22 A Continuous، 0.5 A Peak
♦ RDS(روشن) = 5 @ VGS = 2.7 ولت
♦ RDS(روشن) = 4 @ VGS = 4.5 ولت
• الزامات درایو گیت سطح بسیار پایین که امکان عملکرد مستقیم در مدارهای 3 ولت را فراهم می کند.VGS(th) < 1.06 V
• Gate-Source Zener برای ESD Ruggedness.> مدل بدن انسان 6 کیلو ولت
• چندین ترانزیستور دیجیتال NPN را با یک DMOS FET جایگزین کنید
• این دستگاه بدون سرب و هالید است
