ترنچ ماسفت NTMFS5C628NLT1G 6 60 ولت NFET
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | مقدار ویژگی |
| سازنده: | اونسمی |
| دسته بندی محصولات: | ماسفت |
| فناوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته بندی / مورد: | SO-8FL-4 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال N |
| تعداد کانال‌ها: | ۱ کانال |
| ولتاژ شکست منبع تخلیه - Vds: | ۶۰ ولت |
| جریان تخلیه مداوم - Id: | ۱۵۰ الف |
| Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه: | ۲.۴ میلی اهم |
| ولتاژ گیت-سورس - Vgs: | - 20 ولت، + 20 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه گیت-سورس: | ۱.۲ ولت |
| Qg - شارژ دروازه: | ۵۲ نانوکولوم |
| حداقل دمای عملیاتی: | - ۵۵ درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + ۱۷۵ درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف توان: | ۳.۷ وات |
| حالت کانال: | بهبود |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | ماوس ریل |
| برند: | اونسمی |
| پیکربندی: | مجرد |
| زمان سقوط: | ۷۰ نانوثانیه |
| رسانایی مستقیم - حداقل: | ۱۱۰ ثانیه |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان ظهور: | ۱۵۰ نانوثانیه |
| تعداد بسته بندی کارخانه: | ۱۵۰۰ |
| زیرگروه: | ماسفت‌ها |
| نوع ترانزیستور: | ۱ کانال N |
| زمان تأخیر معمول خاموش شدن: | ۲۸ نانوثانیه |
| زمان تأخیر روشن شدن معمول: | ۱۵ نانوثانیه |
| وزن واحد: | ۰.۰۰۶۱۷۳ اونس |
• ابعاد کوچک (5×6 میلی‌متر) برای طراحی جمع‌وجور
• RDS(on) پایین برای به حداقل رساندن تلفات هدایت
• QG و ظرفیت خازنی پایین برای به حداقل رساندن تلفات درایور
• این دستگاه‌ها بدون سرب و مطابق با استاندارد RoHS هستند
