درایورهای گیت TPS51604DSGR همگام سازی Buck FET DVR
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | مقدار ویژگی |
| سازنده: | تگزاس اینسترومنتس |
| دسته بندی محصولات: | رانندگان دروازه |
| استاندارد RoHS: | جزئیات |
| محصول: | درایورهای نیم پل |
| نوع: | بالا-سمت، پایین-سمت |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته بندی / مورد: | WSON-8 |
| تعداد رانندگان: | ۲ راننده |
| تعداد خروجی‌ها: | ۲ خروجی |
| جریان خروجی: | ۴ الف |
| ولتاژ تغذیه - حداقل: | ۴.۵ ولت |
| ولتاژ تغذیه - حداکثر: | ۵.۵ ولت |
| زمان ظهور: | ۱۵ نانوثانیه |
| زمان سقوط: | ۱۰ نانوثانیه |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 40 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + ۱۰۵ درجه سانتیگراد |
| سری: | TPS51604 |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | ماوس ریل |
| برند: | تگزاس اینسترومنتس |
| ویژگی‌ها: | کنترل زمان مرده، اصلاح همزمان |
| حساس به رطوبت: | بله |
| جریان تغذیه عملیاتی: | ۶۰۰ میکروآمپر |
| ولتاژ تغذیه عملیاتی: | ۴.۵ ولت تا ۲۸ ولت |
| ولتاژ خروجی: | ۳۴ ولت |
| نوع محصول: | رانندگان دروازه |
| تعداد بسته بندی کارخانه: | ۳۰۰۰ |
| زیرگروه: | PMIC - آی سی های مدیریت توان |
| فناوری: | Si |
| وزن واحد: | ۰.۰۰۰۳۸۴ اونس |
♠ درایور FET باک سنکرون TPS51604 برای توان هسته پردازنده در فرکانس بالا
درایورهای TPS51604 برای کاربردهای VCORE پردازنده با فرکانس بالا بهینه شده‌اند. از ویژگی‌های پیشرفته‌ای مانند کاهش زمان مرده درایو و عبور خودکار از صفر برای بهینه‌سازی کارایی در کل محدوده بار استفاده می‌شود.
پین SKIP امکان عملکرد CCM را برای پشتیبانی از مدیریت کنترل‌شده ولتاژ خروجی فراهم می‌کند. علاوه بر این، TPS51604 از دو حالت کم‌مصرف پشتیبانی می‌کند. با ورودی PWM در حالت سه‌گانه، جریان ساکن به ۱۳۰ میکروآمپر کاهش می‌یابد و پاسخ فوری می‌دهد. هنگامی که SKIP در حالت سه‌گانه نگه داشته می‌شود، جریان به ۸ میکروآمپر کاهش می‌یابد (معمولاً ۲۰ میکروثانیه برای از سرگیری سوئیچینگ لازم است). این درایورها در صورت جفت شدن با کنترلر TI مناسب، یک سیستم منبع تغذیه با عملکرد فوق‌العاده بالا ارائه می‌دهند.
دستگاه TPS51604 در یک پکیج WSON 2 میلی‌متر در 2 میلی‌متر با 8 پین و با طراحی حرارتی بهینه شده و فضای کمی اشغال می‌کند و در دمای 40- درجه سانتیگراد تا 105 درجه سانتیگراد کار می‌کند.
• مدار درایو با زمان مرده کاهش یافته برای CCM بهینه شده
• تشخیص خودکار عبور از صفر برای بهینه‌سازی کارایی DCM
• حالت‌های چندگانه کم‌مصرف برای بهینه‌سازی راندمان بار نوری
• تأخیرهای بهینه‌شده در مسیر سیگنال برای عملکرد در فرکانس بالا
• قدرت درایو سوئیچ BST یکپارچه بهینه شده برای FET های اولترابوک
• بهینه شده برای درایو FET 5-V
• محدوده ولتاژ ورودی تبدیل (VIN): 4.5 تا 28 ولت
• بسته پد حرارتی WSON، 2 میلی‌متر × 2 میلی‌متر، 8 پین
• تبلت‌هایی که از پردازنده‌های فرکانس بالا با ورودی برق زیر استفاده می‌کنند:
– آداپتور
– باتری
– ان‌وی‌دی‌سی
– ریل‌های ۵ ولت یا ۱۲ ولت
