BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | ارزش صفت |
| سازنده: | onsemi |
| رده محصولات: | ماسفت |
| فن آوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته / مورد: | SOT-23-3 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال N |
| تعداد کانال ها: | 1 کانال |
| Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: | 100 ولت |
| شناسه - جریان تخلیه مداوم: | 170 میلی آمپر |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | 6 اهم |
| Vgs - ولتاژ گیت منبع: | - 20 ولت، + 20 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: | 800 میلی ولت |
| Qg - شارژ گیت: | 2.5 nC |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 55 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + 150 درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف نیرو: | 300 مگاوات |
| حالت کانال: | افزایش |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | MouseReel |
| نام تجاری: | onsemi / Fairchild |
| پیکربندی: | تنها |
| زمان سقوط: | 9 ns |
| رسانایی رو به جلو - حداقل: | 0.8 S |
| قد: | 1.2 میلی متر |
| طول: | 2.9 میلی متر |
| تولید - محصول: | سیگنال کوچک ماسفت |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان برخاستن: | 9 ns |
| سلسله: | BSS123 |
| مقدار بسته کارخانه: | 3000 |
| زیر مجموعه: | ماسفت ها |
| نوع ترانزیستور: | 1 کانال N |
| نوع: | FET |
| زمان تاخیر خاموش کردن معمولی: | 17 ns |
| زمان تاخیر روشن شدن معمولی: | 1.7 ns |
| عرض: | 1.3 میلی متر |
| قسمت # نام مستعار: | BSS123_NL |
| واحد وزن: | 0.000282 اونس |
♠ ترانزیستور جلوه میدانی حالت بهبود سطح منطق N-Channel
این ترانزیستورهای اثر میدانی حالت بهبود کانال N-Channel با استفاده از فناوری DMOS اختصاصی onsemi تولید می شوند.این محصولات به گونه ای طراحی شده اند که مقاومت در حالت روشن را به حداقل برسانند و در عین حال عملکرد سوئیچینگ ناهموار، قابل اعتماد و سریع را ارائه دهند.این محصولات به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین، جریان کم مانند کنترل سروو موتور کوچک، درایورهای گیت ماسفت برق و سایر کاربردهای سوئیچینگ مناسب هستند.
• 0.17 A، 100 V
♦ RDS(روشن) = 6 @ VGS = 10 ولت
♦ RDS(روشن) = 10 @ VGS = 4.5 ولت
• طراحی سلول با چگالی بالا برای RDS بسیار کم (روشن)
• ناهموار و قابل اعتماد
• بسته بندی نصب سطحی استاندارد SOT-23 صنعت فشرده
• این دستگاه بدون سرب و بدون هالوژن است
