ماسفت FDN337N SSOT-3 N-CH 30V
♠ توضیحات محصول
| نسبت به محصول | ارزش نسبت دادن |
| سازنده: | اونسمی |
| دسته بندی محصولات: | ماسفت |
| استاندارد RoHS: | جزئیات |
| فناوری: | Si |
| محل مونتاژ: | SMD/SMT |
| پاکت / کوبیرتا: | SSOT-3 |
| ترانزیستور پلاریداد دل: | کانال N |
| شماره کانال‌ها: | ۱ کانال |
| Vds - تنش اختلال در ورود و خروج: | ۳۰ ولت |
| ID - Corriente de drenaje continua: | ۲.۲ آمپر |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | ۶۵ میلی اهم |
| Vgs - Tensión entre Puerta y Fuente: | - ۸ ولت، + ۸ ولت |
| Vgs th - Tensión Umbral entre Puerta y Fuente: | ۴۰۰ میلی‌ولت |
| Qg - کارگا د پوئرتا: | ۹ نانوکلوین |
| دمای حداقل: | - ۵۵ درجه سانتیگراد |
| دمای حداکثر: | + ۱۵۰ درجه سانتیگراد |
| Dp - Disipación de Potencia : | ۵۰۰ میلی‌وات |
| کانال مودو: | بهبود |
| امپاکتادو: | قرقره |
| امپاکتادو: | نوار برش |
| امپاکتادو: | ماوس ریل |
| مارکا: | اونسمی / فیرچایلد |
| پیکربندی: | مجرد |
| زمان انتظار: | ۱۰ نانوثانیه |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | ۱۳ ثانیه |
| آلتورا: | ۱.۱۲ میلی‌متر |
| طول جغرافیایی: | ۲.۹ میلی‌متر |
| محصول: | سیگنال کوچک MOSFET |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمانِ سکوت: | ۱۰ نانوثانیه |
| سری: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | ۳۰۰۰ |
| زیرشاخه: | ماسفت‌ها |
| نوع ترانزیستور: | ۱ کانال N |
| نوع: | اف ای تی |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | ۱۷ نانوثانیه |
| تیپیکو دمورا د encendido: | ۴ نانوثانیه |
| آنچو: | ۱.۴ میلی‌متر |
| نام مستعار پیتزاها: | FDN337N_NL |
| پزو دو لا یونیداد: | ۰.۰۰۱۲۷۰ اونس |
♠ ترانزیستور - کانال N، سطح منطقی، حالت تقویت اثر میدانی
ترانزیستورهای اثر میدان توان SUPERSOT−3 N−Channel با حالت بهبود سطح منطقی و با استفاده از فناوری DMOS با چگالی سلولی بالا و اختصاصی شرکت onsemi تولید می‌شوند. این فرآیند با چگالی بسیار بالا به طور ویژه برای به حداقل رساندن مقاومت در حالت روشن طراحی شده است. این قطعات به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین در کامپیوترهای نوت‌بوک، تلفن‌های همراه، کارت‌های PCMCIA و سایر مدارهای باتری‌دار که در آن‌ها سوئیچینگ سریع و تلفات توان درون خطی کم در یک بسته نصب سطحی بسیار کوچک مورد نیاز است، مناسب هستند.
• ۲.۲ آمپر، ۳۰ ولت
♦ RDS(روشن) = 0.065 @ VGS = 4.5 ولت
♦ RDS(روشن) = 0.082 @ VGS = 2.5 ولت
• طرح استاندارد صنعتی بسته نصب سطحی SOT-23 با استفاده از طراحی اختصاصی SUPERSOT-3 برای قابلیت‌های حرارتی و الکتریکی برتر
• طراحی سلولی با چگالی بالا برای RDS(on) بسیار پایین
• مقاومت در حالت روشن استثنایی و قابلیت عبور حداکثر جریان DC
• این دستگاه بدون سرب و هالوژن است
