ترانزیستورهای IKW50N65ES5XKSA1 IGBT INDUSTRY 14

توضیح کوتاه:

سازنده: Infineon Technologies
دسته بندی محصول: ترانزیستور – IGBT – تک
برگه داده:IKW50N65ES5XKSA1
توضیحات: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
وضعیت RoHS: سازگار با RoHS


جزئیات محصول

امکانات

برنامه های کاربردی

برچسب های محصول

♠ توضیحات محصول

ویژگی محصول ارزش صفت
سازنده: Infineon
رده محصولات: ترانزیستورهای IGBT
فن آوری: Si
بسته / مورد: TO-247-3
سبک نصب: از طریق سوراخ
پیکربندی: تنها
حداکثر VCEO کلکتور- امیتر ولتاژ: 650 V
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: 1.35 V
حداکثر ولتاژ امیتر گیت: 20 ولت
جریان جمع کننده پیوسته در 25 درجه سانتیگراد: 80 A
Pd - اتلاف نیرو: 274 وات
حداقل دمای عملیاتی: - 40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی: + 175 درجه سانتیگراد
سلسله: TRENCHSTOP 5 S5
بسته بندی: لوله
نام تجاری: فن آوری های Infineon
جریان نشتی گیت-امیتر: 100 نانو آمپر
قد: 20.7 میلی متر
طول: 15.87 میلی متر
نوع محصول: ترانزیستورهای IGBT
مقدار بسته کارخانه: 240
زیر مجموعه: IGBT ها
نام تجاری: ترنچستاپ
عرض: 5.31 میلی متر
قسمت # نام مستعار: IKW50N65ES5 SP001319682
واحد وزن: 0.213537 اونس

 


  • قبلی:
  • بعد:

  • ارائه فناوری HighspeedS5
    •دستگاه سوئیچینگ با سرعت بالا برای سوئیچینگ سخت و نرم
    •VeryLowVCEsat,1.35Vatnominalcurrent
    •جایگزینی پلاگین IGBTهای نسل قبلی
    •650V ولتاژ شکست
    •LowgatechargeQG
    •بسته بندی IGBTبا دیود کامل RAPID1fastantiparallelrated
    •حداکثر دمای محل اتصال 175 درجه سانتی گراد
    •براساس JEDECبرای برنامه های هدف واجد شرایط
    •آبکاری بدون سرب؛ سازگار با RoHS
    •CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

    • مبدل های تشدید
    • منابع تغذیه بدون وقفه
    • مبدل های جوشکاری
    • مبدل های فرکانس سوئیچینگ میانی به ارتفاع بالا

    محصولات مرتبط