IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | ارزش صفت |
| سازنده: | Infineon |
| رده محصولات: | ماسفت |
| RoHS: | جزئیات |
| فن آوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته/مورد: | TO-252-3 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال N |
| تعداد کانال ها: | 1 کانال |
| Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: | 40 ولت |
| شناسه - جریان تخلیه مداوم: | 50 A |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | 9.3 میلی اهم |
| Vgs - ولتاژ گیت منبع: | - 20 ولت، + 20 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: | 3 V |
| Qg - شارژ گیت: | 18.2 nC |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 55 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + 175 درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف نیرو: | 41 وات |
| حالت کانال: | افزایش |
| صلاحیت: | AEC-Q101 |
| نام تجاری: | OptiMOS |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| نام تجاری: | فن آوری های Infineon |
| پیکربندی: | تنها |
| زمان سقوط: | 5 ns |
| قد: | 2.3 میلی متر |
| طول: | 6.5 میلی متر |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان برخاستن: | 7 ns |
| سلسله: | OptiMOS-T2 |
| مقدار بسته کارخانه: | 2500 |
| زیر مجموعه: | ماسفت ها |
| نوع ترانزیستور: | 1 کانال N |
| زمان تاخیر خاموش کردن معمولی: | 4 ns |
| زمان تاخیر روشن شدن معمولی: | 5 ns |
| عرض: | 6.22 میلی متر |
| قسمت # نام مستعار: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| واحد وزن: | 330 میلی گرم |
• کانال N – حالت بهبود
• واجد شرایط AEC
• MSL1 حداکثر تا 260 درجه سانتی گراد جریان مجدد
• دمای کاری 175 درجه سانتی گراد
• محصول سبز (مطابق با RoHS)
• 100% بهمن تست شده است
