SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ توضیحات محصول
| ویژگی محصول | ارزش صفت |
| سازنده: | ویشای |
| رده محصولات: | ماسفت |
| فن آوری: | Si |
| سبک نصب: | SMD/SMT |
| بسته / مورد: | SOT-23-3 |
| قطبیت ترانزیستور: | کانال پی |
| تعداد کانال ها: | 1 کانال |
| Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: | 8 V |
| شناسه - جریان تخلیه مداوم: | 5.8 A |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | 35 میلی اهم |
| Vgs - ولتاژ گیت منبع: | - 8 ولت، + 8 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: | 1 V |
| Qg - شارژ گیت: | 12 nC |
| حداقل دمای عملیاتی: | - 55 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی: | + 150 درجه سانتیگراد |
| Pd - اتلاف نیرو: | 1.7 وات |
| حالت کانال: | افزایش |
| نام تجاری: | TrenchFET |
| بسته بندی: | قرقره |
| بسته بندی: | نوار برش |
| بسته بندی: | MouseReel |
| نام تجاری: | نیمه هادی های ویشای |
| پیکربندی: | تنها |
| زمان سقوط: | 10 ns |
| قد: | 1.45 میلی متر |
| طول: | 2.9 میلی متر |
| نوع محصول: | ماسفت |
| زمان برخاستن: | 20 ns |
| سلسله: | SI2 |
| مقدار بسته کارخانه: | 3000 |
| زیر مجموعه: | ماسفت ها |
| نوع ترانزیستور: | 1 کانال پی |
| زمان تاخیر خاموش کردن معمولی: | 40 ns |
| زمان تاخیر روشن شدن معمولی: | 20 ns |
| عرض: | 1.6 میلی متر |
| قسمت # نام مستعار: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| واحد وزن: | 0.000282 اونس |
• بدون هالوژن طبق تعریف IEC 61249-2-21
• ماسفت قدرتمند TrenchFET®
• 100 % Rg تست شده
• مطابق با دستورالعمل RoHS 2002/95/EC
• سوئیچ بار برای دستگاه های قابل حمل
• مبدل DC/DC
